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DMN6069SFG-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN6069SFG-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 930mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1480pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 514 pcs

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