DMN3900UFA-7B
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN3900UFA-7B |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-XFDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 760mOhm @ 200mA, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 390mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | X2-DFN0806-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.7nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 42.2pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 550mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 4277 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.37 | $0.36 | $0.36 |
Minimale: 1