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DMN3900UFA-7B

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3900UFA-7B
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 390mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket X2-DFN0806-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 42.2pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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