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DMN3112S-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3112S-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 57mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.4W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 268pF @ 5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 80 pcs

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