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DMN3110LCP3-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3110LCP3-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) 12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 69mOhm @ 500mA, 8V
Verlustleistung (Max.) 1.38W
Lieferanten-Gerätepaket X2-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.52nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 150pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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