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DMN30H4D0LFDE-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN30H4D0LFDE-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 630mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type E)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 187.3pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V

Auf Lager 92 pcs

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