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DMN3032LFDB-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN3032LFDB-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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