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DMN3032LE-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3032LE-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Basis-Teilenummer DMN3032
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 498pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4896 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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