DMN3022LDG-13
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMN3022LDG-13 |
Beschreibung: | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1.96W (Ta) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI3333-8 (Type D) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 481pF @ 15V, 996pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7.6A (Ta), 15A (Tc) |
Auf Lager 99 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.36 | $0.35 | $0.35 |
Minimale: 1