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DMN3016LDN-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN3016LDN-13
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket V-DFN3030-8 (Type J)
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1415pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.2A (Ta)

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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