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DMN3013LDG-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN3013LDG-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.16W (Ta)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerLDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8 (Type D)
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 600pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A (Ta), 15A (Tc)

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.32 $0.31 $0.31
Minimale: 1

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