DMN3012LFG-13
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMN3012LFG-13 |
Beschreibung: | MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 2.2W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI3333-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) |
Auf Lager 58 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1