Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DMN3010LFG-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3010LFG-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.5mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (Max.) 900mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2075pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.20 $0.20 $0.19
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMT6030LFDF-13
Diodes Incorporated
$0.2
AOD418
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.2
RTQ030P02TR
ROHM Semiconductor
$0
DMP3018SFVQ-13
Diodes Incorporated
$0.2
RXR035N03TCL
ROHM Semiconductor
$0.2