Image is for reference only , details as Specifications

DMN3009LFVW-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN3009LFVW-7
Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2000pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4924 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPN70R1K2P7SATMA1
Infineon Technologies
$0
RF6E065BNTCR
ROHM Semiconductor
$0
SQ3481EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQ3457EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
IPN50R800CEATMA1
Infineon Technologies
$0