DMN2300UFB-7B
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN2300UFB-7B |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-UFDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 175mOhm @ 300mA, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 468mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | X1-DFN1006-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.89nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 67.62pF @ 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.32A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 56 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.08 | $0.08 | $0.08 |
Minimale: 1