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DMN21D2UFB-7B

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN21D2UFB-7B
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 380mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.93nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 27.6pF @ 16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 760mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 8416 pcs

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