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DMN2026UVT-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN2026UVT-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.15W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max.) 18.4nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 887pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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