Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DMN2019UTS-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMN2019UTS-13 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 780mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Basis-Teilenummer | DMN2019 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 18.5mOhm @ 7A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-TSSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 8.8nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 143pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.4A |
Auf Lager 4021 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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