Image is for reference only , details as Specifications

DMN2015UFDE-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN2015UFDE-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 660mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type E)
Gate Charge (Qg) (Max.) 45.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1779pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMG4812SSS-13
Diodes Incorporated
$0
DMN3033LSNQ-7
Diodes Incorporated
$0
IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
$0.17
DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated
$0
DMN3030LFG-7
Diodes Incorporated
$0