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DMN2005UFG-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN2005UFG-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.05W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 164nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6495pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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