DMN2005DLP4K-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMN2005DLP4K-7 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 400mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Basis-Teilenummer | DMN2005DLP4K |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
Lieferanten-Gerätepaket | X2-DFN1310-6 (Type B) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 300mA |
Auf Lager 32970 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1