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DMN13M9UCA6-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN13M9UCA6-7
Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.67W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, No Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket X3-DSN3518-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 56.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3315pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.41 $0.40 $0.39
Minimale: 1

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