Image is for reference only , details as Specifications

DMN10H099SK3-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN10H099SK3-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 34W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Gate Charge (Qg) (Max.) 25.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1172pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 11678 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PSMN7R5-30YLDX
Nexperia USA Inc.
$0
SIA468DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
BUK9277-55A,118
Nexperia USA Inc.
$0.65
TSM1N80CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
RRL025P03TR
ROHM Semiconductor
$0