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DMN10H099SFG-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | DMN10H099SFG-13 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 4.2A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 980mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI3333-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 25.2nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1172pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 65 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.24 | $0.24 | $0.23 |
Minimale: 1
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