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DMN1033UCB4-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN1033UCB4-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.45W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket U-WLB1818-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 37nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 5370 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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