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DMN1019USN-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN1019USN-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 680mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SC-59
Gate Charge (Qg) (Max.) 50.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2426pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V

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