Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

DMN1019UFDE-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN1019UFDE-7
Beschreibung: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 690mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6 (Type E)
Gate Charge (Qg) (Max.) 50.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2425pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 886638 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI2312BDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI2312BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
AO6420
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
FDN339AN
ON Semiconductor
$0
SI1302DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0