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DMN1016UCB6-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN1016UCB6-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 920mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-WLB1510-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 423pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 2675 pcs

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