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DMN1014UFDF-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN1014UFDF-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2020-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 515pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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