DMN1014UFDF-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN1014UFDF-7 |
Beschreibung: | MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16mOhm @ 2A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | U-DFN2020-6 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.4nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 515pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 77 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.10 | $0.10 | $0.10 |
Minimale: 1