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DMJ70H600SH3

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMJ70H600SH3
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 113W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251
Gate Charge (Qg) (Max.) 18.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 643pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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