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DMHC6070LSD-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMHC6070LSD-13
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.6W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 731pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.1A, 2.4A

Auf Lager 490 pcs

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