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DMG8822UTS-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMG8822UTS-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 870mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Teilenummer DMG8822UTS
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 841pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.9A

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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