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DMG6898LSD-13
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMG6898LSD-13 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.28W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | DMG6898LSD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 26nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1149pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.5A |
Auf Lager 7000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.58 | $0.57 | $0.56 |
Minimale: 1
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