Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DMG6602SVT-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | DMG6602SVT-7 |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 840mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Basis-Teilenummer | DMG6602 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | TSOT-23-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 400pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.4A, 2.8A |
Auf Lager 117265 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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