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DMG4712SSS-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMG4712SSS-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Body)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14mOhm @ 11.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.55W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 45.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2296pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 72 pcs

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