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DMG3414UQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMG3414UQ-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 780mW
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 829.9pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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