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DMG1016V-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMG1016V-7
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 530mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Basis-Teilenummer DMG1016V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SOT-563
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.74nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 60.67pF @ 16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 870mA, 640mA

Auf Lager 133437 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.46 $0.45 $0.44
Minimale: 1

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