DMG1016V-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMG1016V-7 |
Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | N and P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 530mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Basis-Teilenummer | DMG1016V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-563 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.74nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 60.67pF @ 16V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 870mA, 640mA |
Auf Lager 133437 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.46 | $0.45 | $0.44 |
Minimale: 1