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DMC3018LSD-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMC3018LSD-13
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 631pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.1A, 6A

Auf Lager 89 pcs

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