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DDTD123TU-7-F

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DDTD123TU-7-F
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTD123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-323
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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