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DDTC114ELP-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DDTC114ELP-7
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-UFDFN
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DDTC114
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 70mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 3425 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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