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DDTA115ECA-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DDTA115ECA-7
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DDTA115
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 100 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 82 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 1452 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.42 $0.41 $0.40
Minimale: 1

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