Image is for reference only , details as Specifications

DDC115EU-7-F

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: DDC115EU-7-F
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 100kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 100kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 82 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.10 $0.10 $0.10
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1