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BS107PSTZ

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BS107PSTZ
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall E-Line-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket E-Line (TO-92 compatible)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 85pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.6V, 5V

Auf Lager 75 pcs

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