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BC847BFAQ-7B

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BC847BFAQ-7B
Beschreibung: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DF
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 435mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket X2-DFN0806-3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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