Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

APT13005DT-G1

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: APT13005DT-G1
Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 75W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 900mV @ 1A, 4A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 8 @ 2A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 450V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NSVBSP19AT1G
ON Semiconductor
$0
DSS9110Y-7
Diodes Incorporated
$0
CP788X-2N5087-CT
Central Semiconductor Corp
$0
CP736V-2N5401-CT
Central Semiconductor Corp
$0
CMUT3904 BK
Central Semiconductor Corp
$0