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2DB1182Q-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2DB1182Q-13
Beschreibung: TRANS PNP 32V 2A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 10W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer 2DB1182
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 110MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Vce Sättigung (Max.) 800mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 32V

Auf Lager 3962 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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