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2DB1132R-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2DB1132R-13
Beschreibung: TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer 2DB1132
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 190MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-89-3
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 180 @ 100mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 32V

Auf Lager 1490 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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