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S34MS02G100BHB003

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: S34MS02G100BHB003
Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie Automotive, AEC-Q100, MS-1
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie FLASH - NAND
Zugriffszeit 45ns
Speichergröße 2Gb (256M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 63-BGA (11x9)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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