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S29WS512R0SBHW200E

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: S29WS512R0SBHW200E
Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie WS-R
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NOR
Zugriffszeit 80ns
Speichergröße 512Mb (32M x 16)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 84-VFBGA
Taktfrequenz 104MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 84-FBGA (11.6x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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