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CYDD18S36V18-200BBXC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CYDD18S36V18-200BBXC
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 500ps
Speichergröße 18Mb (256K x 36 x 2)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer CYDD
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-FBGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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