Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
CYD18S18V18-200BBAXI
| Hersteller: | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | CYD18S18V18-200BBAXI |
| Beschreibung: | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Zugriffszeit | 3.3ns |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | SRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Basis-Teilenummer | CYD18S18 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 256-FBGA (17x17) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Auf Lager 99 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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